氮化镓 (GaN) 相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅 MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。氮化镓晶体管可以在缩短死区时间的情况下工作，从而提高效率，并实现被动冷却。在高开关频率下工作可以缩小被动器件的体积，从而提高了 GaN HEMT 的可靠性和整体功率密度。

氮化镓晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。由于英飞凌 CoolGaN™ 晶体管无少数载流子和体二极管结构，因此不会出现反向恢复现象。因此，可以采用图腾柱 PFC 等硬开关拓扑结构来实现更高的效率，例如在数据中心和服务器电源中使用，可以节省能源并降低运营费用。

英飞凌的氮化镓晶体管技术可在高达 650 V 的电压范围内进行高效的功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。领先的质量确保极高的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能优越的解决方案。

采用 CoolGaN™ 的开关电源电路将受益于能效及功率密度的提高，这即使在最先进的硅器件中也是绝无可能实现的。在 200-250 kHz 以上的高频操作中，开关速度是决定能量传输方式的关键。英飞凌 CoolGaN™ 的超快开关速度让死区时间变得极短。超过 15 年的预计使用寿命以及低于 1 FIT的失效率所展现的可靠性与质量将使客户受益颇多。